濕法刻蝕專用系統(tǒng)
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CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門(mén)用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。
更新時(shí)間:2022-11-25 17:32:29
n產(chǎn)品簡(jiǎn)介
CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門(mén)用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。
n產(chǎn)品特色
÷ 人工裝卸半自動(dòng)化系統(tǒng)
÷ 掩膜版尺寸(方形襯底)高達(dá) 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸
÷ 晶圓尺寸高達(dá) 300 毫米(?12 英寸)
÷ 耐腐蝕工藝室
÷ 兩個(gè)自動(dòng)輸送臂,用于化學(xué)刻蝕及清洗
÷ 輸送臂最大6路管路
÷ 提供多種噴嘴
÷ 低接觸或定制夾頭
÷ 化學(xué)液具有加熱選項(xiàng):20 - 80°C
÷ 腔室沖洗噴嘴系統(tǒng)
÷ 去離子水的 BSR(背面沖洗)噴嘴
÷ 工藝室外的手動(dòng)去離子水槍
÷ 最大的集成3個(gè)化學(xué)試劑容器罐(每個(gè) 10 升),具有化學(xué)液自動(dòng)排放系統(tǒng)
÷ 不同化學(xué)品的外部化學(xué)試劑容器罐可選(H2SO4、H2O2、NH4OH、HF、BOE)
÷ 手動(dòng)灌裝或通過(guò)批量灌裝系統(tǒng)
÷ 清洗模組可選用化學(xué)液,噪聲,PVA刷洗,高壓等離子水沖洗
÷ 支持SCES/GEM 通訊協(xié)議
n技術(shù)數(shù)據(jù)
÷ 襯底尺寸: 最大可達(dá) 230 x 230 mm (9″x 9″) 或 ? 300mm (?12″)
÷ 電機(jī)轉(zhuǎn)速: 最大 4.000 rpm, 步長(zhǎng) 1 rpm
÷ 電機(jī)加速: 最大 5.000 rpm/s, 步長(zhǎng) 1 rpm/s
÷ 步進(jìn)時(shí)間: 1 至 999.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 s
÷ 工藝腔材料: PP (可選 PVDF)
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